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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › EPC2100
EPC2100

EPC2100 - EPC

品番
EPC2100
メーカー
EPC
簡単な説明
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
EPC2100 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
34942 pcs
参考価格
USD 4.712/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

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EPC2100 詳細な説明

品番 EPC2100
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
電力 - 最大 -
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース Die
サプライヤデバイスパッケージ Die
重量 -
原産国 -

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