EPC2100

EPC2100 - EPC

Artikelnummer
EPC2100
Hersteller
EPC
Kurze Beschreibung
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
34942 pcs
Referenzpreis
USD 4.712/pcs
Unser Preis
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EPC2100 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EPC2100
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Eigenschaft GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A (Ta), 40A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Leistung max -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall Die
Lieferantengerätepaket Die
Gewicht -
Ursprungsland -

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