| Numéro d'article | EPC2100 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Caractéristique | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 40A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
| Puissance - Max | - |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | Die |
| Package de périphérique fournisseur | Die |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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