EPC2100 - EPC

Numéro d'article	EPC2100
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Puissance - Max	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	Die
Package de périphérique fournisseur	Die
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
EPC-2325	EXSHINE	PCI/ISA Single Board Computer	Détails
EPC.00.250.NTN	LEMO	CONN NIMCAMAC RCPT STR 50OHM PCB	Détails
EPC.0B.304.HLN	LEMO	CONN RCPT FMALE 4POS GOLD SOLDER	Détails
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