品番 | EPC2018 |
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部品ステータス | Last Time Buy |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 150V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 12A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.5V @ 3mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 7.5nC @ 5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 540pF @ 100V |
Vgs(最大) | +6V, -5V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | - |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 25 mOhm @ 6A, 5V |
動作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | Die |
パッケージ/ケース | Die |
重量 | - |
原産国 | - |