EPC2018

EPC2018 - EPC

Numero di parte
EPC2018
fabbricante
EPC
Breve descrizione
TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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12500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 7.2463/pcs
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EPC2018 Descrizione dettagliata

Numero di parte EPC2018
Stato parte Last Time Buy
Tipo FET N-Channel
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 100V
Vgs (massimo) +6V, -5V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 6A, 5V
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Pacchetto / caso Die
Peso -
Paese d'origine -

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