EPC2018

EPC2018 - EPC

Número de pieza
EPC2018
Fabricante
EPC
Breve descripción
TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
EPC2018 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
EPC2018.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
12500 pcs
Precio de referencia
USD 7.2463/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para EPC2018

EPC2018 Descripción detallada

Número de pieza EPC2018
Estado de la pieza Last Time Buy
Tipo de FET N-Channel
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 12A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 100V
Vgs (Max) +6V, -5V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 6A, 5V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor Die
Paquete / caja Die
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA EPC2018