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ZXMN6A09GTA - Diodes Incorporated

品番: ZXMN6A09GTA
メーカー: Diodes Incorporated
簡単な説明: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: ZXMN6A09GTA PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 60000 pcs
参考価格: USD 0.5951/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

ZXMN6A09GTA 詳細な説明

品番	ZXMN6A09GTA
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	5.4A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	24.2nC @ 5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1407pF @ 40V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	2W (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	40 mOhm @ 8.2A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	SOT-223
パッケージ/ケース	TO-261-4, TO-261AA
重量	-
原産国	-

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