ZXMN6A09GTA - Diodes Incorporated

Número de pieza	ZXMN6A09GTA
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5.4A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	24.2nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1407pF @ 40V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 8.2A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-223
Paquete / caja	TO-261-4, TO-261AA
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
ZXMN	ZETEX	ZXMN ZETEX MSOP-8 New Original Stocks	Detalles
ZXMN0545FFTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 450V SOT23F-3	Detalles
ZXMN0545G4TA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223	Detalles
ZXMN10A07F	ZETEX	ZXMN10A07F ZETEX SOT-23 New Original Stocks	Detalles
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ZXMN10A07FTC	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3	Detalles
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ZXMN10A08	ZETEX	ZXMN10A08 ZETEX SOP8 New Original Stocks	Detalles
ZXMN10A08DN8	ZETEX	ZXMN10A08DN8 ZETEX SOP8 New Original Stocks	Detalles
ZXMN10A08DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC	Detalles