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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › ZXMN6A08GTA
ZXMN6A08GTA

ZXMN6A08GTA - Diodes Incorporated

品番
ZXMN6A08GTA
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
ZXMN6A08GTA PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
105000 pcs
参考価格
USD 0.3404/pcs
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ZXMN6A08GTA 詳細な説明

品番 ZXMN6A08GTA
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 3.8A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 5.8nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 459pF @ 40V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 2W (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 80 mOhm @ 4.8A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-223
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
重量 -
原産国 -

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