ZXMN6A08GTA - Diodes Incorporated

Numero di parte	ZXMN6A08GTA
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	459pF @ 40V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 4.8A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-223
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
ZXMN	ZETEX	ZXMN ZETEX MSOP-8 New Original Stocks	Dettagli
ZXMN0545FFTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 450V SOT23F-3	Dettagli
ZXMN0545G4TA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223	Dettagli
ZXMN10A07F	ZETEX	ZXMN10A07F ZETEX SOT-23 New Original Stocks	Dettagli
ZXMN10A07FTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3	Dettagli
ZXMN10A07FTC	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3	Dettagli
ZXMN10A07ZTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89	Dettagli
ZXMN10A08	ZETEX	ZXMN10A08 ZETEX SOP8 New Original Stocks	Dettagli
ZXMN10A08DN8	ZETEX	ZXMN10A08DN8 ZETEX SOP8 New Original Stocks	Dettagli
ZXMN10A08DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC	Dettagli