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ZXMN2F30FHQTA - Diodes Incorporated

品番: ZXMN2F30FHQTA
メーカー: Diodes Incorporated
簡単な説明: MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: ZXMN2F30FHQTA PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 97500 pcs
参考価格: USD 0.1328/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

ZXMN2F30FHQTA 詳細な説明

品番	ZXMN2F30FHQTA
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	4.9A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	2.5V, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	4.8nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	452pF @ 10V
Vgs（最大）	±12V
FET機能	-
消費電力（最大）	1.4W
Rds On（Max）@ Id、Vgs	45 mOhm @ 2.5A, 4.5V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	SOT-23-3
パッケージ/ケース	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
重量	-
原産国	-

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