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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › ZXMN2F30FHQTA
ZXMN2F30FHQTA

ZXMN2F30FHQTA - Diodes Incorporated

品番
ZXMN2F30FHQTA
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
ZXMN2F30FHQTA PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
97500 pcs
参考価格
USD 0.1328/pcs
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ZXMN2F30FHQTA 詳細な説明

品番 ZXMN2F30FHQTA
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 4.9A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 2.5V, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id 1.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 4.8nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 452pF @ 10V
Vgs（最大） ±12V
FET機能 -
消費電力（最大） 1.4W
Rds On（Max）@ Id、Vgs 45 mOhm @ 2.5A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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