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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › ZXMN20B28KTC
ZXMN20B28KTC

ZXMN20B28KTC - Diodes Incorporated

品番
ZXMN20B28KTC
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
ZXMN20B28KTC PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
80350 pcs
参考価格
USD 0.3168/pcs
私達の価格
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ZXMN20B28KTC 詳細な説明

品番 ZXMN20B28KTC
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.5A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 8.1nC @ 5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 358pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 2.2W (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 750 mOhm @ 2.75A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 -
原産国 -

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