ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA - Diodes Incorporated

品番
ZXMN10A08GTA
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
ZXMN10A08GTA PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
265000 pcs
参考価格
USD 0.2944/pcs
私達の価格
メールで送信:[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA 詳細な説明

品番 ZXMN10A08GTA
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 6V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 7.7nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 405pF @ 50V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 250 mOhm @ 3.2A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-223
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
重量 -
原産国 -

関連製品 ZXMN10A08GTA