ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA - Diodes Incorporated

Numéro d'article
ZXMN10A08GTA
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
ZXMN10A08GTA Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
265000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.2944/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA Description détaillée

Numéro d'article ZXMN10A08GTA
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 405pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 3.2A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-223
Paquet / cas TO-261-4, TO-261AA
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR ZXMN10A08GTA