| 品番 | DMN90H8D5HCTI |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 900V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 7 Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 7.9nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 470pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 30W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | ITO-220AB |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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DMN90H2D2HCTI | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: >800V ITO-220AB | 詳細 |
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DMN90H8D5HCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: >800V TO220AB | 詳細 |
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DMN90H8D5HCTI | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB | 詳細 |
