DMN90H2D2HCTI

DMN90H2D2HCTI - Diodes Incorporated

品番
DMN90H2D2HCTI
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET BVDSS: >800V ITO-220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3125 pcs
参考価格
USD 1.2526/pcs
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DMN90H2D2HCTI 詳細な説明

品番 DMN90H2D2HCTI
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 900V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 20.3nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1487pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 40W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.2 Ohm @ 3A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ ITO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
重量 -
原産国 -

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