DMN90H8D5HCTI Descrizione dettagliata
Numero di parte |
DMN90H8D5HCTI |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
2.5A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
7 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
7.9nC @ 10V |
Vgs (massimo) |
±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
470pF @ 25V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
30W (Tc) |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore |
ITO-220AB |
Pacchetto / caso |
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
PRODOTTI CORRELATI PER DMN90H8D5HCTI