品番 | DMN55D0UT-7 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 50V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 160mA (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 2.5V, 4V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | - |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 25pF @ 10V |
Vgs(最大) | ±12V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 200mW (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 4 Ohm @ 100mA, 4V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-523 |
パッケージ/ケース | SOT-523 |
重量 | - |
原産国 | - |