DMN5040LSS-13 - Diodes Incorporated

品番	DMN5040LSS-13
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	50V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	5.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	40 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	14.5nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	836pF @ 30V
FET機能	-
消費電力（最大）	1.3W (Ta)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	8-SO
パッケージ/ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
DMN5010VAK	DIODES	DMN5010VAK DIODES SOT563 New Original Stocks	詳細
DMN5010VAK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563	詳細
DMN5040LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 41V-60V SO-8 TR 2	詳細