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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › DMN3016LFDE-13
DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13 - Diodes Incorporated

品番
DMN3016LFDE-13
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
DMN3016LFDE-13 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
100000 pcs
参考価格
USD 0.1174/pcs
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DMN3016LFDE-13 詳細な説明

品番 DMN3016LFDE-13
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 25.1nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1415pF @ 15V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 730mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 12 mOhm @ 11A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ U-DFN2020-6 (Type E)
パッケージ/ケース 6-UDFN Exposed Pad
重量 -
原産国 -

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