DMN3016LFDE-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMN3016LFDE-13
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	25.1nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1415pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 11A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	U-DFN2020-6 (Type E)
Paquet / cas	6-UDFN Exposed Pad
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMN3005LK3	DIODES	DMN3005LK3 DIODES TO252-.. New Original Stocks	Détails
DMN3005LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L	Détails
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DMN3008SFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI	Détails
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DMN3008SFGQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI	Détails
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