品番 | DMN26D0UFB4-7 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 230mA (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 1.5V, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1.1V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | - |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 14.1pF @ 15V |
Vgs(最大) | ±10V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 350mW (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 3 Ohm @ 100mA, 4.5V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | X2-DFN1006-3 |
パッケージ/ケース | 3-XFDFN |
重量 | - |
原産国 | - |