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DMN2600UFB-7 - Diodes Incorporated

品番: DMN2600UFB-7
メーカー: Diodes Incorporated
簡単な説明: MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: DMN2600UFB-7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 7500 pcs
参考価格: USD 0.0688/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

DMN2600UFB-7 詳細な説明

品番	DMN2600UFB-7
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	25V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	1.3A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	1.8V, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	0.85nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	70.13pF @ 15V
Vgs（最大）	±8V
FET機能	-
消費電力（最大）	540mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	350 mOhm @ 200mA, 4.5V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	3-DFN1006 (1.0x0.6)
パッケージ/ケース	3-UFDFN
重量	-
原産国	-

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