DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMN2600UFB-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0.0688/pcs
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DMN2600UFB-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMN2600UFB-7
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.85nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 70.13pF @ 15V
Vgs (massimo) ±8V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 200mA, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Pacchetto / caso 3-UFDFN
Peso -
Paese d'origine -

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