DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DMN2600UFB-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
DMN2600UFB-7 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
7500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0688/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7 Description détaillée

Numéro d'article DMN2600UFB-7
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.3A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.85nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 70.13pF @ 15V
Vgs (Max) ±8V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paquet / cas 3-UFDFN
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR DMN2600UFB-7