| 부품 번호 | DMN26D0UFB4-7 |
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| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 230mA (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 14.1pF @ 15V |
| Vgs (최대) | ±10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 350mW (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | X2-DFN1006-3 |
| 패키지 / 케이스 | 3-XFDFN |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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DMN2600UFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3 | 세부 |
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DMN26D0UDJ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963 | 세부 |
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DMN26D0UFB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 230MA DFN | 세부 |
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DMN26D0UT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 | 세부 |
