日本语
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7 - Diodes Incorporated

品番: DMN10H170SFDE-7
メーカー: Diodes Incorporated
簡単な説明: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: DMN10H170SFDE-7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 129653 pcs
参考価格: USD 0.1961/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

DMN10H170SFDE-7 詳細な説明

品番	DMN10H170SFDE-7
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	2.9A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	9.7nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1167pF @ 25V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	660mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	160 mOhm @ 5A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	U-DFN2020-6 (Type E)
パッケージ/ケース	6-UDFN Exposed Pad
重量	-
原産国	-

関連製品 DMN10H170SFDE-7

画像	品番	メーカー	説明	見る
	DMN100	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	詳細
	DMN100-7	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	詳細
	DMN100-7-F	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3	詳細
	DMN1002UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6	詳細
	DMN1003UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6	詳細
	DMN1004UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6	詳細
	DMN1004UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6	詳細
	DMN1004UFV-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	詳細
	DMN1004UFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	詳細
	DMN1006UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6	詳細