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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › DMN1029UFDB-13
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13 - Diodes Incorporated

品番
DMN1029UFDB-13
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
DMN1029UFDB-13 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
205755 pcs
参考価格
USD 0.1251/pcs
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DMN1029UFDB-13 詳細な説明

品番 DMN1029UFDB-13
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 12V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 5.6A
Rds On（Max）@ Id、Vgs 29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id 1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 19.6nC @ 8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 914pF @ 6V
電力 - 最大 1.4W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-UDFN Exposed Pad
サプライヤデバイスパッケージ U-DFN2020-6 (Type B)
重量 -
原産国 -

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