日本语
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

DMN1019USN-7 - Diodes Incorporated

品番: DMN1019USN-7
メーカー: Diodes Incorporated
簡単な説明: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: DMN1019USN-7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 7500 pcs
参考価格: USD 0.1389/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

DMN1019USN-7 詳細な説明

品番	DMN1019USN-7
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	12V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	9.3A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	1.2V, 2.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	800mV @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	50.6nC @ 8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2426pF @ 10V
Vgs（最大）	±8V
FET機能	-
消費電力（最大）	680mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	SC-59
パッケージ/ケース	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
重量	-
原産国	-

関連製品 DMN1019USN-7

画像	品番	メーカー	説明	見る
	DMN100	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	詳細
	DMN100-7	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	詳細
	DMN100-7-F	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3	詳細
	DMN1002UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6	詳細
	DMN1003UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6	詳細
	DMN1004UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6	詳細
	DMN1004UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6	詳細
	DMN1004UFV-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	詳細
	DMN1004UFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	詳細
	DMN1006UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6	詳細