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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › DMN1019USN-13
DMN1019USN-13

DMN1019USN-13 - Diodes Incorporated

品番
DMN1019USN-13
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
DMN1019USN-13 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
50000 pcs
参考価格
USD 0.1168/pcs
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DMN1019USN-13 詳細な説明

品番 DMN1019USN-13
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 12V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9.3A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 1.2V, 2.5V
Vgs（th）（Max）@ Id 800mV @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 50.6nC @ 8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2426pF @ 10V
Vgs（最大） ±8V
FET機能 -
消費電力（最大） 680mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SC-59
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
重量 -
原産国 -

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