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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › 2N7002T-7-F
2N7002T-7-F

2N7002T-7-F - Diodes Incorporated

品番
2N7002T-7-F
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
2N7002T-7-F PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1815000 pcs
参考価格
USD 0.0758/pcs
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2N7002T-7-F 詳細な説明

品番 2N7002T-7-F
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 115mA (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 50pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 150mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 7.5 Ohm @ 50mA, 5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-523
パッケージ/ケース SOT-523
重量 -
原産国 -

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