CZDM1003N BK - Central Semiconductor Corp

品番	CZDM1003N BK
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	150 mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	15nC @ 10V
Vgs（最大）	20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	975pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	2W (Ta)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	SOT-223
パッケージ/ケース	TO-261-4, TO-261AA
重量	-
原産国	-

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	CZDM1003N BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223	詳細
	CZDM1003N TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223	詳細