CZDM1003N BK - Central Semiconductor Corp

Numéro d'article	CZDM1003N BK
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (Max)	20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	975pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-223
Paquet / cas	TO-261-4, TO-261AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	CZDM1003N BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223	Détails
	CZDM1003N TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223	Détails