CZDM1003N BK - Central Semiconductor Corp

Numero di parte	CZDM1003N BK
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (massimo)	20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	975pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-223
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	CZDM1003N BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223	Dettagli
	CZDM1003N TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223	Dettagli