日本语
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

BLM8G0710S-60PBY

BLM8G0710S-60PBY - Ampleon USA Inc.

品番: BLM8G0710S-60PBY
メーカー: Ampleon USA Inc.
簡単な説明: RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: BLM8G0710S-60PBY PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: BLM8G0710S-60PBY.pdf
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - RF
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 560 pcs
参考価格: USD 45.105/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

BLM8G0710S-60PBY 詳細な説明

品番	BLM8G0710S-60PBY
部品ステータス	Active
トランジスタタイプ	LDMOS (Dual)
周波数	957.5MHz
利得	36.2dB
電圧 - テスト	28V
電流定格	-
ノイズフィギュア	-
電流 - テスト	60mA
電力出力	6W
電圧 - 定格	65V
パッケージ/ケース	SOT-1211-2
サプライヤデバイスパッケージ	16-HSOPF
重量	-
原産国	-

関連製品 BLM8G0710S-60PBY

画像	品番	メーカー	説明	見る
	BLM8G0710S-15PBGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122	詳細
	BLM8G0710S-15PBY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12112	詳細
	BLM8G0710S-30PBGY	Ampleon USA Inc.	IC MMIC DUAL 2-STAGE 16HSOP	詳細
	BLM8G0710S-30PBY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112	詳細
	BLM8G0710S-45ABGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12122	詳細
	BLM8G0710S-45ABY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112	詳細
	BLM8G0710S-60PBGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12122	詳細
	BLM8G0710S-60PBY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112	詳細