• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF › BLM8G0710S-45ABY
BLM8G0710S-45ABY

BLM8G0710S-45ABY - Ampleon USA Inc.

品番
BLM8G0710S-45ABY
メーカー
Ampleon USA Inc.
簡単な説明
RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
BLM8G0710S-45ABY PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
BLM8G0710S-45ABY.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - RF
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
250 pcs
参考価格
USD 41.985/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください BLM8G0710S-45ABY

BLM8G0710S-45ABY 詳細な説明

品番 BLM8G0710S-45ABY
部品ステータス Active
トランジスタタイプ LDMOS (Dual)
周波数 957.5MHz
利得 35dB
電圧 - テスト 28V
電流定格 -
ノイズフィギュア -
電流 - テスト 30mA
電力出力 3W
電圧 - 定格 65V
パッケージ/ケース SOT-1211-2
サプライヤデバイスパッケージ 16-HSOPF
重量 -
原産国 -

関連製品 BLM8G0710S-45ABY

画像 品番 メーカー 説明 見る
BLM8G0710S-15PBGY BLM8G0710S-15PBGY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122 詳細
BLM8G0710S-15PBY BLM8G0710S-15PBY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12112 詳細
BLM8G0710S-30PBGY BLM8G0710S-30PBGY Ampleon USA Inc. IC MMIC DUAL 2-STAGE 16HSOP 詳細
BLM8G0710S-30PBY BLM8G0710S-30PBY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 詳細
BLM8G0710S-45ABGY BLM8G0710S-45ABGY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12122 詳細
BLM8G0710S-45ABY BLM8G0710S-45ABY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 詳細
BLM8G0710S-60PBGY BLM8G0710S-60PBGY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12122 詳細
BLM8G0710S-60PBY BLM8G0710S-60PBY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112 詳細