BLM8G0710S-60PBY - Ampleon USA Inc.

Número de pieza: BLM8G0710S-60PBY
Fabricante: Ampleon USA Inc.
Breve descripción: RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: BLM8G0710S-60PBY Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: BLM8G0710S-60PBY.pdf
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - RF
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 578 pcs
Precio de referencia: USD 45.105/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	BLM8G0710S-60PBY
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	LDMOS (Dual)
Frecuencia	957.5MHz
Ganancia	36.2dB
Voltaje - Prueba	28V
Valoración actual	-
Figura de ruido	-
Actual - Prueba	60mA
Salida de potencia	6W
Voltaje - Clasificación	65V
Paquete / caja	SOT-1211-2
Paquete de dispositivo del proveedor	16-HSOPF
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
BLM8G0710S-15PBGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122	Detalles
BLM8G0710S-15PBY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12112	Detalles
BLM8G0710S-30PBGY	Ampleon USA Inc.	IC MMIC DUAL 2-STAGE 16HSOP	Detalles
BLM8G0710S-30PBY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112	Detalles
BLM8G0710S-45ABGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12122	Detalles
BLM8G0710S-45ABY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112	Detalles
BLM8G0710S-60PBGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12122	Detalles
BLM8G0710S-60PBY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112	Detalles