| Numero di parte | VQ1004P-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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VQ1000J | VISHA | VQ1000J VISHA DIP New Original Stocks | Dettagli |
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VQ1000N6 | SI | VQ1000N6 SI DIP14 New Original Stocks | Dettagli |
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VQ1000N7 | SIL | VQ1000N7 SIL DIP New Original Stocks | Dettagli |
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VQ1000P | SI | VQ1000P SI CDIP New Original Stocks | Dettagli |
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VQ1001J | SIL | VQ1001J SIL DIP New Original Stocks | Dettagli |
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VQ1001P | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | Dettagli |
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VQ1001P-2 | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | Dettagli |
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VQ1001P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | Dettagli |
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VQ1004J | VISHAY | N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs | Dettagli |
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VQ1004P | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205 | Dettagli |
