| Número de pieza | VQ1004P-E3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | - |
| Tecnología | - |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Paquete / caja | - |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
VQ1000J | VISHA | VQ1000J VISHA DIP New Original Stocks | Detalles |
|
VQ1000N6 | SI | VQ1000N6 SI DIP14 New Original Stocks | Detalles |
|
VQ1000N7 | SIL | VQ1000N7 SIL DIP New Original Stocks | Detalles |
|
VQ1000P | SI | VQ1000P SI CDIP New Original Stocks | Detalles |
|
VQ1001J | SIL | VQ1001J SIL DIP New Original Stocks | Detalles |
|
VQ1001P | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | Detalles |
|
VQ1001P-2 | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | Detalles |
|
VQ1001P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | Detalles |
|
VQ1004J | VISHAY | N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs | Detalles |
|
VQ1004P | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205 | Detalles |
