| Artikelnummer | VQ1004P-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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VQ1000J | VISHA | VQ1000J VISHA DIP New Original Stocks | Einzelheiten |
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VQ1000N6 | SI | VQ1000N6 SI DIP14 New Original Stocks | Einzelheiten |
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VQ1000N7 | SIL | VQ1000N7 SIL DIP New Original Stocks | Einzelheiten |
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VQ1000P | SI | VQ1000P SI CDIP New Original Stocks | Einzelheiten |
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VQ1001J | SIL | VQ1001J SIL DIP New Original Stocks | Einzelheiten |
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VQ1001P | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | Einzelheiten |
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VQ1001P-2 | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | Einzelheiten |
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VQ1001P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | Einzelheiten |
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VQ1004J | VISHAY | N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs | Einzelheiten |
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VQ1004P | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205 | Einzelheiten |
