SIHF22N60E-GE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SIHF22N60E-GE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	86nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1920pF @ 100V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 11A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220 Full Pack
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SIHF22N60E-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 21A TO220	Dettagli
SIHF22N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 21A TO220	Dettagli
SIHF22N65E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FK	Dettagli
SIHF23N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 23A TO-220	Dettagli
SIHF28N60EF-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 28A FULLPAK220	Dettagli