SIHF22N60E-E3 Descrizione dettagliata
| Numero di parte |
SIHF22N60E-E3 |
| Stato parte |
Active |
| Tipo FET |
N-Channel |
| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) |
600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
21A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
- |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
180 mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
86nC @ 10V |
| Vgs (massimo) |
- |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
1920pF @ 100V |
| Caratteristica FET |
- |
| Dissipazione di potenza (max) |
- |
| temperatura di esercizio |
- |
| Tipo di montaggio |
Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore |
TO-220 Full Pack |
| Pacchetto / caso |
TO-220-3 Full Pack |
| Peso |
- |
| Paese d'origine |
- |
PRODOTTI CORRELATI PER SIHF22N60E-E3
