SIHF22N60E-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SIHF22N60E-GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	86nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1920pF @ 100V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	35W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 11A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220 Full Pack
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SIHF22N60E-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 21A TO220	Einzelheiten
SIHF22N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 21A TO220	Einzelheiten
SIHF22N65E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FK	Einzelheiten
SIHF23N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 23A TO-220	Einzelheiten
SIHF28N60EF-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 28A FULLPAK220	Einzelheiten