TPC8A05-H(TE12L,QM - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte: TPC8A05-H(TE12L,QM
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data: New
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Numero di parte	TPC8A05-H(TE12L,QM
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Body)
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.3 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP (5.5x6.0)
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
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