TPC8A05-H(TE12L,QM - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TPC8A05-H(TE12L,QM
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
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Número de pieza	TPC8A05-H(TE12L,QM
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (Máx)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.3 mOhm @ 5A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOP (5.5x6.0)
Paquete / caja	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Peso	-
País de origen	-

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