TPC8A05-H(TE12L,QM - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TPC8A05-H(TE12L,QM
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (Max)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.3 mOhm @ 5A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-SOP (5.5x6.0)
Paquet / cas	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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