TPC8A05-H(TE12L,QM

TPC8A05-H(TE12L,QM - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TPC8A05-H(TE12L,QM
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
TPC8A05-H(TE12L,QM Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4078 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour TPC8A05-H(TE12L,QM

TPC8A05-H(TE12L,QM Description détaillée

Numéro d'article TPC8A05-H(TE12L,QM
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.3 mOhm @ 5A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SOP (5.5x6.0)
Paquet / cas 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR TPC8A05-H(TE12L,QM