TK70D06J1(Q)

TK70D06J1(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
TK70D06J1(Q)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 70A TO220W
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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TK70D06J1(Q) Descrizione dettagliata

Numero di parte TK70D06J1(Q)
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5450pF @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4 mOhm @ 35A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220(W)
Pacchetto / caso TO-220-3
Peso -
Paese d'origine -

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