TK70D06J1(Q)

TK70D06J1(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TK70D06J1(Q)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET N-CH 60V 70A TO220W
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
TK70D06J1(Q) Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
TK70D06J1(Q).pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4422 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour TK70D06J1(Q)

TK70D06J1(Q) Description détaillée

Numéro d'article TK70D06J1(Q)
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 70A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5450pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4 mOhm @ 35A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220(W)
Paquet / cas TO-220-3
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR TK70D06J1(Q)