TK70D06J1(Q)

TK70D06J1(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TK70D06J1(Q)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 70A TO220W
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4233 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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TK70D06J1(Q) detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TK70D06J1(Q)
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 70A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5450pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 45W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 6.4 mOhm @ 35A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220(W)
Paket / Fall TO-220-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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