TK17E80W,S1X

TK17E80W,S1X - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
TK17E80W,S1X
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
1000 pcs
Prezzo di riferimento
USD 4.62/pcs
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TK17E80W,S1X Descrizione dettagliata

Numero di parte TK17E80W,S1X
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 850µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2050pF @ 300V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 8.5A, 10V
temperatura di esercizio 150°C
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220
Pacchetto / caso TO-220-3
Peso -
Paese d'origine -

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